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SUM33N20-60P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
15
25 °C, unless noted
2.9
12
V D S = 50 V, 100 V, 150V
I D = 50 A
2.4
I D = 20 A
V G S = 10 V
9
6
3
0
1.9
1.4
0.9
0.4
V G S = 15 V
0
16
3 2
4 8
64
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
Q g - Tot a l G a te Ch a rge (nC)
Gate Charge
0.7
0.2
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
1
T J =150 °C
- 0. 3
I D = 5 mA
- 0. 8
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
- 1. 3
- 1. 8
- 2. 3
I D = 250 μ A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
250
240
2 3 0
V S D - S o u rce-to-Dr a in Volt a ge
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 10 mA
100
T J - Temper a t u re (°C)
Threshold Voltage
220
10
150 °C
25 °C
210
200
190
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
www.vishay.com
4
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
t a v - ( S ec)
Single Pulse Avalanche
Current Capability vs. Time
Document Number: 74291
S-62209-Rev. A, 30-Oct-06
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